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具功率均分和遥测功能的高功率热插拔

Josh Simonson - 设计工程师 Dec 4th 2015

热插拔电路越来越多地在高于 1000W 的功率级别上使用。在这些功率级别上需要多个开关 MOSFET,但是在调节电流时增设 MOSFET 并不会改善电路的功率耗散能力,因为 MOSFET 不具备均分电流的固有特性。LTC4282 通过把 MOSFET 分为两个具有独立电流限值 (其可强化两组之间的功率均分) 的并联组解决了这一问题。此方法可使应用的 SOA 倍增,同时所采用的 MOSFET 数目和类型则与传统解决方案相同,从而允许使用具较低 SOA 的比较便宜的 MOSFET。

另外,LTC4282 还能采用两级式架构,在该架构中热插拔开关的 RDS(ON) 和功率耗散要求被分解到两组 MOSFET 中,因而允许使用专门针对这些目的而优化的 MOSFET,而不是试图找到兼具这两种功能单个 MOSFET。

热插拔应用在一块电路板的电源输入端上使用,因此这里是监视功耗及其他遥测信息的自然位置。LTC4282 采用一对 12 位数据转换器以连续地监察输出电流和电压。由此完成功率和能量的片内计算。峰值检波器负责存储最小和最大读数,而数字窗口比较器则用于在期望的门限上产生系统警示信号。

LTC4282 还集成了一个片内 EEPROM,其允许器件在针对任何应用上电时对自身进行自主配置。该 EEPROM 还用于故障记录、通用非易失性数据和历史记录存储器,并且能在发生故障的电路板上停用热插拔功能,以避免其在被拔出并重新插入时试图执行上电操作。

LTC4282 是市面上仅有的一款具非易失性存储器的 IC,而且也是市场上唯一一款专为在单个热插拔应用电路中控制两组 MOSFET 而特别制作的 IC。

LTC4282 PR Photo